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2016年7月20日 12時43分
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Source: 华虹半导体有限公司
华虹半导体深耕FS IGBT 聚焦新能源汽车应用市场

香港, 2016年7月20日 - (亚太商讯) - 全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司(「华虹半导体」或「公司」,连同其附属公司,统称「集团」,股份代号:1347.HK)今日宣布,将充分利用在IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术方面的优势,积极开拓新能源汽车市场,加速新能源汽车芯片国产化进程。

IGBT是新一代电能变换和控制的核心器件,具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高等优点,广泛应用于新能源汽车、工业变频、智能电网、风力发电和太阳能等行业。自商业化应用以来,IGBT作为新型功率半导体器件的主型器件,在1~100kHz的频率应用范围内占据重要地位,其电压范围为400V~6500V,电流范围为1A~3600A。

华虹半导体是全球首家提供场截止型(FS, Field Stop)IGBT量产技术的200mm代工厂,2011年就已在200mm生产线上成功量产了1200V非穿通型(NPT, non-punch-through)IGBT;2013年,600V-1200V FS IGBT实现量产,并专注于持续开发更先进的FS IGBT。凭藉不断的研发创新,公司与多家合作单位陆续推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工艺,成功解决了IGBT的关键工艺问题,包括硅片翘曲及背面工艺能力等。未来,将向更高电压、更大电流等级、新能源汽车领域及超高压电力电子市场进发,在全球竞争中稳占一席。

华虹半导体在FS IGBT背面晶圆加工能力上尤为突出,是国内唯一拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工企业,包括背面薄片、背面离子注入、背面激光退火,背面金属。经过多年深耕,华虹半导体积累了相当丰富的IGBT制造经验,技术参数可媲美国际领先企业,奠定华虹半导体在IGBT制造企业中的领先地位,同时也积极推进了IGBT技术国产化进程。

《2016年国务院政府工作报告》明确提出,「大力发展和推广以电动汽车为主的新能源汽车,加快建设城市停车场和充电设施」。中国政府「十三五」规划也明确了实施新能源汽车推广计划,鼓励城市公交和出租汽车使用新能源汽车,可见新能源汽车产业未来增长空间巨大。据悉,中国已于2010年成为全球第一大汽车市场,至2020年,中国新能源汽车年产量将达200万辆,累计产销量将超过500万辆。

纯电动车的核心模块离不开IGBT,尤其是性能更佳的FS IGBT,充电桩的建设也运用了大量的功率器件模块,IGBT未来主要的成长驱动力将来自混合动力汽车和纯电动汽车。作为电动车动力的核心,马达逆变器将驱动IGBT模块飞速发展。华虹半导体在汽车电子方面有着丰富的经验,建立了零缺陷管理模式,并通过了ISO/TS16949认证和多家客户的VDA 6.3(德国汽车质量流程审计标准)标准审计,公司客户的MOSFET和SJNFET(超级结MOSFET)产品也都成功应用到汽车电子领域。华虹半导体拥有出色的FS IGBT全套背面加工能力,在晶圆代工领域具有绝对优势,为布局新能源汽车市场做好了充分准备。

「华虹半导体作为全球首家、最大的功率器件200mm晶圆代工厂,可为绿色能源各个环节提供低压到高压全电压解决方案,并可根据客户需要定制全系列的各种功率器件。同时公司正在加速研发6500V超高压IGBT技术,战略目标同样锁定在高端工业及能源市场应用,延续其『全球功率器件领导者』的战略布局。」华虹半导体执行副总裁范恒先生表示:「华虹半导体将立足制造端,希望携新能源汽车发展东风,为广大客户提供先进可靠的IGBT制造服务,为IGBT芯片国产化做出更多贡献。」


Topic: Press release summary
Sectors: Electronics, Energy, Daily News, Alt. Energy, Engineering
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