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2016年7月20日 12時42分
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Source: 華虹半導體有限公司
華虹半導體深耕FS IGBT 聚焦新能源汽車應用市場

香港, 2016年7月20日 - (亞太商訊) - 全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,連同其附屬公司,統稱「集團」,股份代號:1347.HK)今日宣布,將充分利用在IGBT(絕緣栅雙極型晶體管)技術方面的優勢,積極開拓新能源汽車市場,加速新能源汽車芯片國產化進程。

IGBT是新一代電能轉換和控制的核心器件,具有輸入阻抗大、驅動功率小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷速度快、工作頻率高等優點,廣泛應用於新能源汽車、工業變頻、智能電網、風力發電和太陽能等行業。自商業化應用以來,IGBT作為新型功率半導體器件的主型器件,在1~100kHz的頻率應用範圍內佔據重要地位,其電壓範圍為400V~6500V,電流範圍為1A~3600A。

華虹半導體是全球首家提供場截止型(FS, Field Stop)IGBT量產技術的200mm代工廠,2011年就已在200mm生産線上成功量產了1200V非穿通型(NPT, non-punch-through)IGBT;2013年,600V-1200V FS IGBT實現量產,並專注於持續開發更先進的FS IGBT。憑藉不斷的研發創新,公司與多家合作單位陸續推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工藝,成功解决了IGBT的關鍵工藝問題,包括矽片翹曲及背面工藝能力等。未來,將向更高電壓和更大電流等級、新能源汽車領域及超高壓電力電子市場進發,在全球競爭中穩佔一席。

華虹半導體在FS IGBT背面晶圓加工能力上尤為突出,是國內唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工企業,包括背面薄片、背面離子注入、背面激光退火,背面金屬。經過多年發展,華虹半導體積累了相當豐富的IGBT製造經驗,技術參數可媲美國際領先企業,奠定華虹半導體在IGBT製造企業中的領先地位,同時亦積極推進了IGBT技術國產化進程。

《2016年國務院政府工作報告》明確提出,「大力發展和推廣以電動汽車為主的新能源汽車,加快建設城市停車場和充電設施」。中國政府「十三五」規劃也明確了實施新能源汽車推廣計劃,鼓勵城市公交和出租汽車使用新能源汽車,可見新能源汽車產業未來增長空間巨大。據悉,中國已於2010年成為全球第一大汽車市場,至2020年,中國新能源汽車年產量將達200萬輛,累計產銷量將超過500萬輛。

純電動車的核心模塊離不開IGBT,尤其是性能更佳的FS IGBT,電動車充電設施的建設也運用了大量的功率器件模塊,IGBT未來主要的成長驅動力將來自混合動力汽車和純電動汽車。作為電動車動力的核心,馬達逆變器將驅動IGBT模塊飛速發展。華虹半導體在汽車電子方面有著豐富的經驗,建立了零缺陷管理模式,並通過了ISO/TS16949認證和多家客戶的VDA 6.3(德國汽車質量流程審計標準)標準審計,公司客戶的MOSFET和SJNFET(超級結MOSFET)産品也都成功應用到汽車電子領域。華虹半導體擁有出色的FS IGBT全套背面加工能力,在晶圓代工領域具有絕對優勢,為佈局新能源汽車市場做好了充分準備。

「華虹半導體作為全球首家、最大的功率器件200mm晶圓代工廠,可為綠色能源各個環節提供低壓到高壓全電壓解决方案,並可根據客戶需要定制全系列的各種功率器件。同時公司正在加速研發6500V超高壓IGBT技術,戰略目標同樣鎖定在高端工業及能源市場應用,延續其『全球功率器件領導者』的戰略佈局。」華虹半導體執行副總裁范恒先生表示:「華虹半導體將立足製造端,希望藉新能源汽車發展東風,為廣大客戶提供先進可靠的IGBT製造服務,為IGBT芯片國產化做出更多貢獻。」



Topic: Press release summary
Sectors: Electronics, Daily Finance, Daily News, Alt. Energy, Engineering
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