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東京, 2017年6月16日 - (JCN Newswire) - 株式会社富士通研究所（注1）の名誉フェロー 三村 髙志（みむら たかし）が、公益財団法人 稲盛財団が主催する第33回「京都賞」を先端技術部門で受賞することとなりましたのでお知らせいたします。授賞式は、11月10日（金曜日）に国立京都国際会館で行われる予定です。
「京都賞」は、公益財団法人 稲盛財団が褒賞する国際賞で、科学や文明の発展、また人類の精神的深化・高揚に著しく貢献した方々の功績を讃えるものです。毎年、先端技術部門、基礎科学部門、思想・芸術部門の各部門に1賞、計3賞が贈られます。
このたびの受賞は、先端技術部門のエレクトロニクス分野として、高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor 以下、HEMT）の発明とその開発による情報通信技術の発展へ貢献したことによるものです。
受賞概要
1.受賞者
株式会社富士通研究所 名誉フェロー 三村 髙志（みむら たかし）
2.業績概要
三村髙志は、1979年から1980年にかけ、新構造トランジスタであるHEMTを発明し、その動作の実証に世界で初めて成功しました。HEMTは、高周波特性に優れるため、以後、衛星放送用受信機、携帯電話や携帯電話の基地局、GPS用受信機、自動車の衝突防止用のミリ波レーダーなど、情報通信社会を支える超高速素子として広く使われ、高速・低雑音性能に優れた素子としてマイクロ波・ミリ波領域の各種装置で必須部品となっています。また、HEMTは電波望遠鏡にも活用され、未知の星間分子を発見するなど基礎科学の進展にも大きく貢献しています。
3.三村 髙志の主な受賞・表彰
- 1982年 電子情報通信学会業績賞
- 1990年 IEEEモーリス・N・リーブマン記念賞
- 1992年 社団法人発明協会 恩賜発明賞
- 1998年 紫綬褒章
- 1998年 ISCSハインリッヒ・ヴェルカー賞
- 2004年 応用物理学会業績賞
本リリースの詳細は下記URLをご参照ください。
http://pr.fujitsu.com/jp/news/2017/06/16.html
注釈
注1 株式会社富士通研究所：本社 神奈川県川崎市、代表取締役社長 佐々木繁
概要：富士通株式会社
詳細は http://jp.fujitsu.com/ をご覧ください。
トピック: Press release summary
Source: Fujitsu Ltd
セクター: Electronics, Cloud & Enterprise
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