English | 简体中文 | 繁體中文 | 한국어 | 日本語
2018年1月31日 10時00分 HKT/SGT
Share:
    

Source: Mitsubishi Electric
三菱電機、6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発
鉄道・電力向けパワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネに貢献

TOKYO, 2018年1月31日 - (JCN Newswire) - 三菱電機株式会社は、独自の1チップ構造と新パッケージの採用により世界最高※1の定格出力密度を実現した6.5kV耐圧フルSiC※2 パワー半導体モジュールを開発しました。本モジュールを適用することで、高耐圧が求められる鉄道・電力向けパワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネに貢献します。

開発の特長

1. フルSiCで6.5kV耐圧を実現し、パワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネに貢献
- Siパワー半導体モジュールの最高耐圧6.5kVをフルSiCで実現
- フルSiC適用により高出力密度化とスイッチング損失の大幅低減、動作周波数の向上が可能となり、高耐圧パワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネに貢献

2. 1チップ化と高放熱・高耐熱小型パッケージで世界最高の定格出力密度を実現
- ダイオードとMOSFET※3を1チップ化したダイオード内蔵SiC-MOSFETを開発し、チップ面積を半減
- 優れた熱伝導性と耐熱性を両立する絶縁基板と、信頼性の高い接合技術により、高放熱・高耐熱小型パッケージを実現
- 高耐圧パワー半導体モジュールとして世界最高の定格出力密度9.3kVA/ccを実現

本リリースの詳細は下記URLをご参照ください。
http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2018/0131-a.html

概要:三菱電機株式会社

詳細は http://www.mitsubishielectric.co.jp をご覧ください。

トピック: Press release summary
セクター: Electronics
http://www.acnnewswire.com
From the Asia Corporate News Network


Copyright © 2020 ACN Newswire. All rights reserved. A division of Asia Corporate News Network.

 

Mitsubishi Electric Releated News
July 14, 2020 12:00 HKT/SGT
三菱電機、5G基地局用GaN増幅器モジュールの小型・高効率化技術を開発
July 9, 2020 13:00 HKT/SGT
三菱電機、パワー半導体「SiC-MOSFET」の高精度回路シミュレーション技術を開発
June 23, 2020 15:00 HKT/SGT
三菱電機、モータ診断装置「DiaPro Motor」を開発
June 22, 2020 11:00 HKT/SGT
三菱電機、ビル設備製品を活用した新型コロナウイルス感染拡大防止への取り組みを開始
June 16, 2020 13:00 HKT/SGT
三菱電機、パワー半導体「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ」サンプル提供開始
More news >>
Copyright © 2020 ACN Newswire - Asia Corporate News Network
Home | About us | Services | Partners | Events | Login | Contact us | Cookies Policy | Privacy Policy | Disclaimer | Terms of Use | RSS
US: +1 800 291 0906 | Beijing: +86 400 879 3881 | Hong Kong: +852 8192 4922 | Singapore: +65 6653 1210 | Tokyo: +81 3 6859 8575