English | 简体中文 | 繁體中文 | 한국어 | 日本語
2020年7月20日 12時52分
Share:
    

来源 Hua Hong Semiconductor
华虹半导体持续打造卓越eNVM工艺平台

香港, 2020年7月20日 - (亚太商讯) - 全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”,股份代号:1347.HK)宣布,其95纳米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存储器(eNVM,Embedded Non-Volatile Memory)工艺平台通过不断的创新升级,技术优势进一步增强,可靠性相应大幅提升。

华虹半导体95纳米SONOS eNVM工艺技术广泛应用于微控制器(MCU)、物联网(IoT)等领域,具有稳定性好、可靠性高、功耗低等优点。相对上一代技术,95纳米SONOS eNVM 5V工艺实现了更小设计规则,获得了同类产品芯片面积的缩小;逻辑部分芯片门密度较现有业界同类工艺提升超过40%,达到业界领先水平;所需光罩层数较少,能够提供更具成本效益的解决方案。同时,95纳米SONOS eNVM 5V工艺具有更高集成度和领先的器件性能,存储介质擦/写特性达到了2毫秒的先进水平;低功耗器件驱动能力提高20%,仅用5V器件可以覆盖1.7V至5.5V的宽电压应用。

华虹半导体持续深耕,95纳米SONOS eNVM采用全新的存储器结构以及优化操作电压,大大提高了阈值电压的窗口。在相同测试条件下,SONOS IP的擦写能力达到1000万次,可靠性提升20倍;在85℃条件下,数据保持能力可长达30年,处于国际领先水平。华虹半导体致力于持续优化工艺水平,在提升数据保持能力条件下,同时提升擦写次数,更好地满足市场对超高可靠性产品的需求。

此外,随着高可靠性工艺平台及衍生工艺受到青睐,公司基于SONOS工艺的eNVM更可以涵盖MTP(Multi-Time Programmable Memory)应用。通过简化设计、优化IP面积和减少测试时间等,在IP面积、测试时间、使用功耗和擦写能力上比MTP性能更优,更具竞争力。在此基础上增加配套的可选器件,进一步满足电源管理和RF类产品的需求。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“嵌入式非易失性存储器技术向来是华虹半导体的 ‘王牌’之一,一直保持着业界领先地位,为广大MCU客户提供了灵活多样的技术平台。在‘8英寸+12英寸’战略定位的指引下,公司在8英寸平台上,通过缩小存储单元IP面积、减少光罩层数等方式来进一步强化嵌入式闪存技术工艺;同时,我们发挥12英寸平台更小线宽特性,打造高性能的嵌入式非易失性存储器工艺技术平台,在巩固智能卡芯片制造领航者地位的同时,满足物联网、MCU、汽车电子等高增长的市场需求。”

关于华虹半导体
华虹半导体有限公司(“华虹半导体”,股份代号:1347.HK)(“本公司”)是全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业,特别专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等特色工艺平台,其卓越的质量管理体系亦满足汽车电子芯片生产的严苛要求。本公司是华虹集团的一员,而华虹集团是以集成电路制造为主业,拥有8+12英寸生产线先进工艺技术的企业集团。

本公司在上海金桥和张江建有三座8英寸晶圆厂(华虹一厂、二厂及三厂),月产能约18万片;同时在无锡高新技术产业开发区内建有一座12英寸晶圆厂(华虹七厂),月产能规划为4万片。华虹七厂于2019年正式落成并迈入生产运营期,成为中国大陆领先的12英寸特色工艺生产线,也是大陆第一条12英寸功率器件代工生产线。

如欲取得更多公司相关资料,请浏览:www.huahonggrace.com


话题 Press release summary
来源 Hua Hong Semiconductor

部门 Electronics, Daily Finance, Daily News
https://www.acnnewswire.com
From the Asia Corporate News Network


Copyright © 2024 ACN Newswire. All rights reserved. A division of Asia Corporate News Network.

 

Hua Hong Semiconductor Related News
June 3, 2021 12:32 HKT/SGT
华虹半导体12英寸90纳米BCD实现规模量产
June 3, 2021 12:31 HKT/SGT
華虹半導體12英寸90納米BCD實現規模量產
June 3, 2021 12:30 HKT/SGT
Hua Hong Semiconductor Achieved Mass Production of 12'' 90nm BCD
Aug 27, 2020 13:02 HKT/SGT
华虹半导体最新推出90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台 助力大容量MCU解决方案
Aug 27, 2020 13:01 HKT/SGT
華虹半導體最新推出90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平台 助力大容量MCU解決方案
More news >>
Copyright © 2024 ACN Newswire - Asia Corporate News Network
Home | About us | Services | Partners | Events | Login | Contact us | Cookies Policy | Privacy Policy | Disclaimer | Terms of Use | RSS
US: +1 214 890 4418 | China: +86 181 2376 3721 | Hong Kong: +852 8192 4922 | Singapore: +65 6549 7068 | Tokyo: +81 3 6859 8575