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| HGEを量産、フルSiCパワーモジュールの実用化に貢献 |
東京, 2016年6月9日 - (JCN Newswire) - 昭和電工株式会社（社長：市川 秀夫）は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（以下、SiC）エピタキシャルウェハー（以下、エピウェハー）の高品質グレード「ハイグレードエピ（以下、HGE）」において、月産3000 枚（注1）の生産体制を確立し、量産を開始しました。
HGE は、昨年10月に当社が開発した、結晶欠陥を大幅に削減したSiCエピウェハーです（注2）。昨年10月の上市以降、国内外のデバイスメーカーへのサンプル出荷に積極的に取組み、良好な評価を得ています。HGE では、代表的な結晶欠陥である基底面転位（注3）を0.1個/cm2以下に抑えることにより、SiC-MOSFET（注4）の信頼性向上に寄与します。また、従来技術では生産困難と言われていたバイポーラデバイス向けの厚膜（注5）およびp型（注6）エピウェハーも、低欠陥化技術の確立によって量産可能となりました。当社が販売する厚膜HGE は、発電・送電系統向け超高耐圧デバイスであるSiC-IGBT（注7）の開発に大きく貢献するものと期待されます。
SiCパワー半導体は車載での早期実用化も検討されており、SiCエピウェハーの市場規模は、2025 年に1,000億円規模に拡大すると予想されています。当社は今後も市場の高品質化要求に応え、省エネルギー化に貢献してまいります。
（注1）1200V耐圧用デバイス仕様での換算。
（注2）ご参考 2015年10月2日当社プレスリリース「欠陥密度を大幅低減したパワー半導体用SiCエピウェハーを販売」
（注3）基底面転位…SiC 単結晶の基底面に発生する転位。
（注4）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）駆動時の電力ロスが小さく、高速スイッチングを行う論理回路に適している。
（注5） 超高耐圧デバイスとして100um以上の膜厚が必要となる。1um=1000分の1mm
（注6） p型…半導体における電気伝導の型で、多数キャリアが正の電荷を持つ正孔（ホール）の場合をp 型、負の電荷を持つ電子の場合をn 型と称する。
（注7）絶縁ゲートバイポーラ・トランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor）MOSFETの高速スイッチング性能とバイポーラ・トランジスタの高電圧・大電流処理能力を併せ持つ。
本リリースの詳細は下記URLをご参照ください。
http://www.sdk.co.jp/news/2016/15916.html
概要：昭和電工株式会社
詳細は www.sdk.co.jp をご覧ください。
お問い合わせ先
昭和電工株式会社
広報室
03-5470-3235
トピック: Press release summary
Source: Showa Denko K.K.
セクター: Chemicals, Spec.Chem
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